文/范眠/iThome 2010-09-01
惠普預估，2013年就有可能看到採用ReRAM的終端產品，但目前惠普和海力士尚未決定要先將ReRAM用在固態硬碟、PC記憶體、或其他產品上。
惠普週二(8/31)宣佈，已與海力士半導體(Hynix)簽署共同開發協定，希望能將憶阻器 (memristor)這項新的電子元件予以商業化，並成為新一代的記憶體產品。
憶阻器又稱為記憶電阻(memory resistor)，是由加州柏克萊大學教授Leon Chua於1971年推論存在的第四種基礎電子元件，一直到2006年，才由惠普實驗室(HP Lab)的研究人員首度製作出來。
憶阻器的耗電量低、速度較現有的固態儲存技術還快，同時在切斷電源後，還能保有資料。
今年四月惠普曾宣佈，憶阻器亦具有邏輯運算功能，未來有可能無需透過特殊的中央處理器，僅在記憶體晶片上就可完成運算作業。
這次惠普與海力士簽訂的共同開發協議，係透過智產權授權與技術移轉的方式，兩家公司將共同開發新材料與製程整合技術，以推動憶阻器技術朝商業化電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)發展。海力士將會在其研發晶圓廠中建立憶阻器技術。
ReRAM是一種低耗電量的非揮發性記憶體，具有取代快閃記憶體的潛力。它同時也有可能成為通用儲存媒介(universal storage medium)，也就是說，一種能兼具快閃記憶體、DRAM、甚至硬碟功能的記憶體。
外電報導指出，惠普並不是獨家授權給海力士，目前它也與其他業者合作開發ReRAM，但惠普本身對於投入記憶體業務並不感興趣。目前，進行ReRAM技術開發的業者還有4DS、Adesto、Unity、和幾家新創業者。
惠普預估，2013年就有可能看到採用ReRAM的終端產品，但目前惠普和海力士尚未決定要先將ReRAM用在固態硬碟、PC記憶體、或其他產品上。
